De nombreux projets d'ingénieurs en matériel sont réalisés sur la carte perforée, mais il existe un phénomène de connexion accidentelle des bornes positives et négatives de l'alimentation électrique, ce qui entraîne la combustion de nombreux composants électroniques, et même la carte entière est détruite, et elle doit être soudé à nouveau, je ne sais pas quelle bonne façon de le résoudre ?
Tout d'abord, la négligence est inévitable, même si ce n'est que pour distinguer le positif et le négatif que deux fils, un rouge et un noir, peuvent être câblés une fois, nous ne ferons pas d'erreurs ; Dix connexions ne se passeront pas mal, mais 1 000 ? Et 10 000 ? À l'heure actuelle, il est difficile de dire qu'en raison de notre négligence, certains composants électroniques et puces ont brûlé, la raison principale est que le courant est trop important, les composants de l'ambassadeur sont en panne, nous devons donc prendre des mesures pour empêcher la connexion inverse. .
Les méthodes suivantes sont couramment utilisées :
Circuit de protection anti-retour de type série 01 diodes
Une diode directe est connectée en série à l'entrée de puissance positive pour exploiter pleinement les caractéristiques de conduction directe et de coupure inverse de la diode. Dans des circonstances normales, le tube secondaire conduit et le circuit imprimé fonctionne.
Lorsque l'alimentation est inversée, la diode est coupée, l'alimentation ne peut pas former de boucle et le circuit imprimé ne fonctionne pas, ce qui peut prévenir efficacement le problème de l'alimentation.
02 Circuit de protection anti-retour de type pont redresseur
Utilisez le pont redresseur pour changer l'entrée d'alimentation en une entrée non polaire, que l'alimentation soit connectée ou inversée, la carte fonctionne normalement.
Si la diode au silicium a une chute de pression d'environ 0,6 ~ 0,8 V, la diode au germanium a également une chute de pression d'environ 0,2 ~ 0,4 V, si la chute de pression est trop importante, le tube MOS peut être utilisé pour le traitement anti-réaction, la chute de pression du tube MOS est très faible, jusqu'à quelques milliohms, et la chute de pression est presque négligeable.
03 circuit de protection anti-retour du tube MOS
Tube MOS en raison de l'amélioration du processus, de ses propres propriétés et d'autres facteurs, sa résistance interne conductrice est faible, beaucoup sont de niveau milliohm, voire plus petites, de sorte que la chute de tension du circuit, la perte de puissance causée par le circuit sont particulièrement faibles, voire négligeables. , donc choisir un tube MOS pour protéger le circuit est une méthode plus recommandée.
1) Protection NMOS
Comme indiqué ci-dessous : Au moment de la mise sous tension, la diode parasite du tube MOS est allumée et le système forme une boucle. Le potentiel de la source S est d'environ 0,6V, tandis que le potentiel de la grille G est de Vbat. La tension d'ouverture du tube MOS est extrêmement : Ugs = Vbat-Vs, la grille est haute, le ds du NMOS est passant, la diode parasite est court-circuitée, et le système forme une boucle à travers l'accès ds du NMOS.
Si l'alimentation est inversée, la tension du NMOS est de 0, le NMOS est coupé, la diode parasite est inversée et le circuit est déconnecté, formant ainsi une protection.
2) Protection PMOS
Comme indiqué ci-dessous : Au moment de la mise sous tension, la diode parasite du tube MOS est allumée et le système forme une boucle. Le potentiel de la source S est d'environ Vbat-0,6V, tandis que le potentiel de la grille G est de 0. La tension d'ouverture du tube MOS est extrêmement : Ugs = 0 – (Vbat-0,6), la grille se comporte comme un niveau bas , le ds du PMOS est allumé, la diode parasite est court-circuitée et le système forme une boucle à travers l'accès ds du PMOS.
Si l'alimentation est inversée, la tension du NMOS est supérieure à 0, le PMOS est coupé, la diode parasite est inversée et le circuit est déconnecté, formant ainsi une protection.
Remarque : les tubes NMOS enchaînent ds à l'électrode négative, les tubes PMOS enchaînent ds à l'électrode positive et la direction de la diode parasite est vers la direction du courant correctement connecté.
L'accès aux pôles D et S du tube MOS : généralement lorsque le tube MOS avec canal N est utilisé, le courant entre généralement par le pôle D et sort du pôle S, et le PMOS entre et D sort du S pôle, et l'inverse est vrai lorsqu'il est appliqué dans ce circuit, la condition de tension du tube MOS est remplie par la conduction de la diode parasite.
Le tube MOS sera entièrement allumé tant qu'une tension appropriée sera établie entre les pôles G et S. Après conduction, c'est comme si un interrupteur était fermé entre D et S, et le courant est la même résistance de D à S ou de S à D.
Dans les applications pratiques, le pôle G est généralement connecté à une résistance, et afin d'éviter une panne du tube MOS, une diode régulatrice de tension peut également être ajoutée. Un condensateur connecté en parallèle à un diviseur a un effet de démarrage progressif. Au moment où le courant commence à circuler, le condensateur se charge et la tension du pôle G s'accumule progressivement.
Pour le PMOS, par rapport au NOMS, Vgs doit être supérieur à la tension de seuil. Parce que la tension d'ouverture peut être 0, la différence de pression entre DS n'est pas grande, ce qui est plus avantageux que NMOS.
04 Protection par fusible
De nombreux produits électroniques courants peuvent être vus après avoir ouvert la partie alimentation avec un fusible, dans l'alimentation électrique est inversée, il y a un court-circuit dans le circuit en raison d'un courant important, puis le fusible est grillé, joue un rôle dans la protection du circuit, mais de cette façon, la réparation et le remplacement sont plus gênants.
Heure de publication : 08 juillet 2023
