De nombreux projets d'ingénieurs en matériel sont réalisés sur la carte mère, mais il existe le phénomène de connexion accidentelle des bornes positives et négatives de l'alimentation, ce qui entraîne la combustion de nombreux composants électroniques, et même la destruction de la carte entière, et elle doit être soudée à nouveau, je ne sais pas quelle bonne façon de le résoudre ?
Tout d'abord, l'inattention est inévitable. Même s'il suffit de distinguer les deux fils positifs et négatifs, un rouge et un noir, une seule connexion est possible, sans risque d'erreur. Dix connexions ne sont pas erronées, mais mille ? Et dix mille ? Difficile à dire pour le moment. Notre inattention a entraîné la brûlure de certains composants électroniques et puces. La principale raison est une surintensité de courant, provoquant la panne de composants. Il est donc nécessaire de prendre des mesures pour éviter toute inversion de connexion.
Les méthodes suivantes sont couramment utilisées :
01 circuit de protection anti-retour de type série de diodes
Une diode directe est connectée en série à l'entrée d'alimentation positive afin d'exploiter pleinement ses caractéristiques de conduction directe et de coupure inverse. En conditions normales, le tube secondaire conduit et le circuit imprimé fonctionne.
Lorsque l'alimentation est inversée, la diode est coupée, l'alimentation ne peut pas former de boucle et le circuit imprimé ne fonctionne pas, ce qui peut empêcher efficacement le problème de l'alimentation.
02 Circuit de protection anti-retour de type pont redresseur
Utilisez le pont redresseur pour changer l'entrée d'alimentation en une entrée non polaire, que l'alimentation soit connectée ou inversée, la carte fonctionne normalement.
Si la diode au silicium a une chute de pression d'environ 0,6 à 0,8 V, la diode au germanium a également une chute de pression d'environ 0,2 à 0,4 V. Si la chute de pression est trop importante, le tube MOS peut être utilisé pour le traitement anti-réaction. La chute de pression du tube MOS est très faible, jusqu'à quelques milliohms, et la chute de pression est presque négligeable.
03 Circuit de protection anti-retour du tube MOS
Tube MOS en raison de l'amélioration du processus, de ses propres propriétés et d'autres facteurs, sa résistance interne conductrice est faible, de nombreux niveaux de milliohm, voire plus petits, de sorte que la chute de tension du circuit, la perte de puissance causée par le circuit est particulièrement faible, voire négligeable, donc choisir un tube MOS pour protéger le circuit est un moyen plus recommandé.
1) Protection NMOS
Comme illustré ci-dessous : à la mise sous tension, la diode parasite du tube MOS est activée et le système forme une boucle. Le potentiel de la source S est d'environ 0,6 V, tandis que celui de la grille G est Vbat. La tension d'ouverture du tube MOS est extrêmement élevée : Ugs = Vbat - Vs, la grille est à l'état haut, le transistor ds du NMOS est activé, la diode parasite est court-circuitée et le système forme une boucle via l'accès ds du NMOS.
Si l'alimentation est inversée, la tension de marche du NMOS est de 0, le NMOS est coupé, la diode parasite est inversée et le circuit est déconnecté, formant ainsi une protection.
2) Protection PMOS
Comme illustré ci-dessous : à la mise sous tension, la diode parasite du tube MOS est activée et le système forme une boucle. Le potentiel de la source S est d'environ Vbat - 0,6 V, tandis que le potentiel de la grille G est nul. La tension d'ouverture du tube MOS est extrême : Ugs = 0 – (Vbat - 0,6), la grille se comporte comme un niveau bas, le ds du PMOS est activé, la diode parasite est court-circuitée et le système forme une boucle via l'accès ds du PMOS.
Si l'alimentation est inversée, la tension de marche du NMOS est supérieure à 0, le PMOS est coupé, la diode parasite est inversée et le circuit est déconnecté, formant ainsi une protection.
Remarque : les tubes NMOS relient la diode à l'électrode négative, les tubes PMOS relient la diode à l'électrode positive et la direction de la diode parasite est vers la direction du courant correctement connecté.
L'accès des pôles D et S du tube MOS : généralement lorsque le tube MOS à canal N est utilisé, le courant entre généralement par le pôle D et sort par le pôle S, et le PMOS entre et D sort par le pôle S, et l'inverse est vrai lorsqu'il est appliqué dans ce circuit, la condition de tension du tube MOS est satisfaite par la conduction de la diode parasite.
Le tube MOS sera pleinement activé tant qu'une tension adéquate sera établie entre les pôles G et S. Après conduction, c'est comme si un interrupteur était fermé entre D et S, et que le courant présentait la même résistance de D à S ou de S à D.
Dans les applications pratiques, le pôle G est généralement connecté à une résistance. Afin d'éviter le claquage du tube MOS, une diode régulatrice de tension peut également être ajoutée. Un condensateur connecté en parallèle à un diviseur assure un démarrage progressif. Dès que le courant commence à circuler, le condensateur se charge et la tension du pôle G augmente progressivement.
Pour le PMOS, par rapport au NOMS, la tension Vgs doit être supérieure à la tension de seuil. La tension d'ouverture pouvant être nulle, la différence de pression entre les DS est faible, ce qui est plus avantageux que le NMOS.
04 Protection par fusible
De nombreux produits électroniques courants peuvent être vus après l'ouverture de la partie d'alimentation avec un fusible, dans l'alimentation est inversée, il y a un court-circuit dans le circuit en raison d'un courant important, puis le fusible est grillé, joue un rôle dans la protection du circuit, mais de cette façon, la réparation et le remplacement sont plus gênants.
Date de publication : 08/07/2023
